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韩国三星计划6月前完成11纳米第六代1cDRAM开发

近日,韩国媒体《BusinessKorea》报导,全球最大存储器制造商韩国三星设定了目标,预计在今年6月前,完成11纳米的第六代1c DRAM芯片的开发。

报道称,三星已通知半导体研究人员,决定跳过或放弃12纳米的第五代1b DRAM开发,之后将立即加速开发1c DRAM产品。市场认为三星此举是为了扩大与SK海力士和美光科技等竞争对手的技术差距。

标签: 全球半导体 三星重新超越英特尔 存储器制造商 韩国三星

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